一、薄膜材料高低溫試驗(yàn)機(jī)技術(shù)參數(shù)

二、薄膜材料高低溫試驗(yàn)機(jī)控制功能：

試驗(yàn)?zāi)康模嚎己水a(chǎn)品承受一定溫度變化速率的能力及對極端高溫和極端低溫環(huán)境的承受能力，是針對產(chǎn)品熱機(jī)械性能設(shè)置的。當(dāng)構(gòu)成產(chǎn)品各部件的材料熱匹配較差，或部件內(nèi)應(yīng)力較大時(shí)，溫度循環(huán)試驗(yàn)可引發(fā)產(chǎn)品由機(jī)械結(jié)構(gòu)缺陷劣化產(chǎn)生的失效。如漏氣、內(nèi)引線斷裂、芯片裂紋等。

試驗(yàn)條件：在氣體環(huán)境下進(jìn)行。主要是控制產(chǎn)品處于高溫和低溫時(shí)的溫度和時(shí)間及高低溫狀態(tài)轉(zhuǎn)換的速率。高低溫試驗(yàn)箱內(nèi)氣體的流通情況、溫度傳感器的位置、夾具的熱容量都是保證試驗(yàn)條件的重要因素。

其控制原則是試驗(yàn)所要求的溫度、時(shí)間和轉(zhuǎn)換速率都是指被試產(chǎn)品，不是試驗(yàn)的局部環(huán)境。微電路的轉(zhuǎn)換時(shí)間要求不大于1min在高溫或低溫狀態(tài)下的保持時(shí)間要求不小于10min；低溫為-55℃或-65-10℃，高溫從85+10℃到300+10℃不等。

三、高低溫試驗(yàn)箱滿足標(biāo)準(zhǔn)：

1. GB2423.1-2008/IEC6008-2-1-2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫

2. GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫

3. GJB150.3A－2009            高溫試驗(yàn)方法

4. GJB150.4A－2009             低溫試驗(yàn)方法

5. GB2423.22-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Nb：規(guī)定溫度變化速率的溫度變化

6. GBT 2424.5-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 溫度試驗(yàn)箱性能確認(rèn)

7.GB/T 10589-2008 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件